此前三星公布了到2027年的制程技术路线图,列出了2022年6月量产SF3E(3nm GAA,3GAE)以后的半导体工艺发展计划,包括SF3(3GAP)、SF3P(3GAP+)、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星计划今年带来第二代3nm工艺,也就是SF3,传闻已经在试产。不过此前也有消息人士称,三星打算将第二代3nm工艺将改为2nm工艺。

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升_图片

据Business Korea报道,三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm(SF2)工艺中应用第三代GAA(Gate-All-Around)晶体管工艺技术特性的论文,并带来更多关键细节。

三星称,新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%至46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。按照三星的规划,SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成,届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。

三星的努力不仅仅在突破技术界限上,过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设,已经拥有50多个合作伙伴。今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率,以将用户体验提升到一个新的水平。

与此同时,三星还计划推出第三代3nm工艺,继续提高密度并降低功耗,另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功,传闻早期的良品率仅为20%,主要用于生产加密货币使用的芯片,缺乏大客户的订单支持。